近年来，传统半导体的发展愈发受制于固有物理极限，漏极诱导势垒降低、界面散射导致的迁移率退化、半导体带宽限制的电流开关比等问题逐渐凸显。在此背景下，原子层厚度的二维（2D）半导体凭借特殊的电子特性，成为突破后硅时代技术瓶颈的核心方向。

院士 光刻 掩膜 鲍哲南 光刻立大功 2025-08-14 09:09  3

在锂硫（Li-S）电池中，硫和硫化锂（Li2S）的绝缘性质导致严重的极化现象和低的硫利用率，并且可溶性的多硫化物在循环过程中引发内部穿梭。此外，通过溶解-沉积途径进行的氧化还原反应会使活性界面钝化，破坏电极结构，从而导致电池性能随循环次数增加而下降。基于此，斯

科学家 鲍哲南 cellpress 2024-11-27 06:24  12